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- 產(chǎn)品名稱(chēng)：德國原裝西門(mén)康模塊SKIIP1513GB172-3DFL
- 產(chǎn)品型號：SKIIP1513GB172-3DFL
- 產(chǎn)品展商：西門(mén)康
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簡(jiǎn)單介紹
德國原裝西門(mén)康模塊SKIIP1513GB172-3DFL IGBT管在使用過(guò)程中，經(jīng)常受到容性或感性負載的沖擊，發(fā)生過(guò)負荷甚至負載短路等，可能導致IGBT管損壞。IGBT管在使用時(shí)的損壞原因主要有過(guò)電壓損壞和靜電損壞
產(chǎn)品描述
德國原裝西門(mén)康模塊SKIIP1513GB172-3DFL
IGBT管在使用過(guò)程中，經(jīng)常受到容性或感性負載的沖擊，發(fā)生過(guò)負荷甚至負載短路等，可能導致IGBT管損壞。IGBT管在使用時(shí)的損壞原因主要有過(guò)電壓損壞和靜電損壞
IGBT管在關(guān)斷時(shí)，由于電路中存在電感成分，關(guān)斷瞬間將產(chǎn)生尖峰電壓。如果尖峰電壓超過(guò)IGBT管器件的*高峰值電壓，將造成IGBT管擊穿損壞。IGBT管過(guò)電壓損壞可分為集電極一柵極過(guò)電壓、柵極一發(fā)射極過(guò)電壓、高du/dt過(guò)電壓等。
大多數過(guò)電壓保護電路的設計都比較完善，但是對于由高du/dt所致的過(guò)電壓故障，在設計中基本上都是采用無(wú)感電容或者RCD結構的吸收電路。由于吸收電路設計的吸收容量不夠，會(huì )造成IGBT管損壞，對此可采用電壓鉗位，往往在集電極和柵極兩端并接齊納二極管（推薦使用美國Diodes公司的1.5KE××A產(chǎn)品系列），采用柵極電壓動(dòng)態(tài)控制方式。當集電極電壓瞬間超過(guò)齊納二極管的鉗位電壓時(shí)，超出的電壓將疊加在柵極上（米勒效應起作用），避免了IGBT管因受集電極一發(fā)射極過(guò)電壓而損壞。
采用柵極電壓動(dòng)態(tài)控制可以解決由于過(guò)高的du/dt帶來(lái)的集電極一發(fā)射極瞬間過(guò)電壓?jiǎn)?wèn)題，但是它的弊端是：當IGBT管處于感性負載運行狀態(tài)時(shí)，關(guān)斷的IGBT管由于其反并聯(lián)二極管（續流二極管）的恢復，其集電極和發(fā)射極兩端的電壓急劇上升，承受很高的瞬間du/dt。在多數情況下該du/dt值要比IGBT管正常關(guān)斷時(shí)的集電極一發(fā)射極電壓上升率高。
由于米勒電容(Cres)的存在，該du/dt值將在集電極和柵極之間產(chǎn)生一個(gè)瞬間電流流向柵極驅動(dòng)電路。該電流與柵極電路的阻抗相互作用，直接導致柵極一發(fā)射極電壓UGE升高，甚至超過(guò)IGBT管的開(kāi)通門(mén)限電壓UGEth，出現的惡劣情況就是使IGBT管被誤觸發(fā)導通。
